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本發(fā)明公開了一種低溫沉積二氧化釩薄膜的方法，采用磁控濺射技術(shù)，以金屬釩或釩合金為靶材，以氧氣為反應(yīng)氣體，氬氣為濺射氣體；制備薄膜前，先將真空室抽至低于1×10?3Pa本底真空，然后通入氧氣和氬氣混合氣體，氧分壓保持為0.01—0.06Pa，在沉積薄膜過程中，控制沉積溫度為240～260℃，并在基底添加負(fù)偏壓，靶表面濺射功率密度為2?3W/cm2，在基底表面得到高性能的VO2薄膜。本發(fā)明的低溫沉積方法將VO2薄膜的沉積溫度低，并配合適當(dāng)?shù)呢?fù)偏壓及其他工藝參數(shù)制備出的薄膜均勻致密、二氧化釩相變溫度低，具有良好相變性能的高性能VO2薄膜；大大降低了生產(chǎn)成本。

材料制品>膜材>低溫沉積二氧化釩薄膜