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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體影像傳感器，在其像素陣列內(nèi)部中的除光電二極管(D1)的光敏感區(qū)域以外的位置上，罩有由不透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的遮光結(jié)構(gòu)；所述遮光結(jié)構(gòu)與構(gòu)成光電二極管(D1)一極的由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的區(qū)域間呈環(huán)狀接觸，僅在引出光電二極管(D1)另外一極的引線的位置留有開口；所述遮光結(jié)構(gòu)在像素陣列內(nèi)部僅在每個所述環(huán)狀接觸內(nèi)部以及所述開口處具有孔洞。在本發(fā)明中，曝光開始及結(jié)束控制晶體管(M1、M2)的漏極分別連接到信號存儲電容(C1)的兩端，在使用0.5微米CMOS混合信號工藝實施本發(fā)明時，其最短快門選通時間僅75皮秒，對405納米可見光的殘留感光低至八千萬分之一，具有超高速快門和低殘留感光的特性。

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