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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體影像傳感器，其像素單元電路包括光電二極管、信號(hào)存儲(chǔ)電容、曝光開始控制晶體管、曝光結(jié)束控制晶體管、復(fù)位晶體管、讀出緩沖晶體管與讀出選擇晶體管；信號(hào)存儲(chǔ)電容的一端連接光電二極管的正極或負(fù)極、曝光開始控制晶體管的漏極、復(fù)位晶體管的漏極或源極，另一端連接曝光結(jié)束控制晶體管的漏極以及讀出緩沖晶體管的柵極。在本發(fā)明中，結(jié)合采用遮光層及環(huán)狀遮光結(jié)構(gòu)對(duì)晶體管，尤其是曝光結(jié)束控制晶體管進(jìn)行充分遮光，在使用0.5微米CMOS混合信號(hào)工藝實(shí)施本發(fā)明時(shí)，其最短快門選通時(shí)間僅75皮秒，對(duì)405納米可見光的殘留感光低至八千萬分之一，具有超高速快門和低殘留感光的特性。

測(cè)量實(shí)驗(yàn)>傳感器>超快快門半導(dǎo)體圖像傳感器