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本發(fā)明的一種雙金屬浮柵存儲器及其制備方法，包括步驟：自下而上依次包括基底、柵極、阻擋介電層、納米顆粒層、隧穿介電層、半導(dǎo)體層及源漏電極；其中，所述納米顆粒層的材料為雙金屬合金納米顆粒，所述納米顆粒層為納米顆粒單層。本發(fā)明通過選擇雙金屬合金納米顆粒，可實(shí)現(xiàn)對納米顆粒費(fèi)米能級的調(diào)控，從而實(shí)現(xiàn)對存儲器展現(xiàn)可調(diào)的性能。另外，采用微接觸印刷法制備單層結(jié)構(gòu)的雙金屬合金納米顆粒層，可有效節(jié)省材料，降低損耗，大大減少了存儲器件制造成本。此外，本發(fā)明存儲器器件結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高密度存儲，維持存儲器器件高性能運(yùn)行，調(diào)控浮柵能級實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的長時間保存，并實(shí)現(xiàn)了雙金屬結(jié)構(gòu)納米粒子存儲器件讀寫速度和記憶時間的平衡。

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