成果介紹
本發(fā)明公開(kāi)了近紅外光增強(qiáng)的ZnO基晶體管型存儲(chǔ)器及其制備方法,從上至下依次包括:源漏電極、半導(dǎo)體層、隧穿層、浮柵層、阻擋層、柵極和基底;其中,所述半導(dǎo)體層由ZnO制成,所述浮柵層由上轉(zhuǎn)換熒光納米顆粒制成。本發(fā)明利用上轉(zhuǎn)換熒光納米顆粒在近紅外光作用下發(fā)出紫外光,ZnO半導(dǎo)體吸收紫外光產(chǎn)生載流子,在電場(chǎng)作用下,產(chǎn)生的載流子被捕獲在浮柵層中。在這個(gè)過(guò)程中,近紅外光間接增加了可被捕獲的載流子數(shù)目,有效增強(qiáng)了存儲(chǔ)器存儲(chǔ)窗口并且實(shí)現(xiàn)了多比特存儲(chǔ)。同時(shí),本發(fā)明利用價(jià)格低廉的ZnO作為存儲(chǔ)器半導(dǎo)體層,顯著降低了存儲(chǔ)器價(jià)格。相比傳統(tǒng)晶體管型存儲(chǔ)器,本發(fā)明所述的存儲(chǔ)器不僅性能可以明顯提高,成本也顯著降低。
成果應(yīng)用案例介紹
方法過(guò)程>制備方法>制備; 方法過(guò)程>增強(qiáng)方法>近紅外光增強(qiáng); 計(jì)算控制>存儲(chǔ)器>氧化鋅基晶體管存儲(chǔ)器